SI単位系（基本単位・補助単位・組立単位・接頭語）
- 基本単位
長さ：m（メートル）
質量：kg（キログラム）
時間：s（秒）
電流：A（アンペア）
熱力学温度：K（ケルビン）
物質量：mol（モル）
光度：cd（カンデラ）
質量：kg（キログラム）
時間：s（秒）
電流：A（アンペア）
熱力学温度：K（ケルビン）
物質量：mol（モル）
光度：cd（カンデラ）
- 補助単位
平面角：rad（ラジアン）
立体角：sr（ステラジアン）
立体角：sr（ステラジアン）
- 組立単位
周波数：Hz（ヘルツ）=s^-1
力：N（ニュートン）=kg･m/s^2
エネルギー：J（ジュール）=N･m
仕事率：W（ワット） = J/s
電気量：C（クーロン）=A･s
電圧：V（ボルト）=W/A
電気抵抗：Ω（オーム）=V/A
コンダクタンス：S（ジーメンス）=A/V
磁束：Wb（ウェーバ）=V･s
磁束密度：T（テスラ）=Wb/m^2
インダクタンス：H（ヘンリー）=Wb/A
静電容量：F（ファラッド）=C/V
圧力：P（パスカル）=kg/m･s^2
光束：lm（ルーメン）=cd･sr
照度：lx（ルックス）=cd･sr/m^2
力：N（ニュートン）=kg･m/s^2
エネルギー：J（ジュール）=N･m
仕事率：W（ワット） = J/s
電気量：C（クーロン）=A･s
電圧：V（ボルト）=W/A
電気抵抗：Ω（オーム）=V/A
コンダクタンス：S（ジーメンス）=A/V
磁束：Wb（ウェーバ）=V･s
磁束密度：T（テスラ）=Wb/m^2
インダクタンス：H（ヘンリー）=Wb/A
静電容量：F（ファラッド）=C/V
圧力：P（パスカル）=kg/m･s^2
光束：lm（ルーメン）=cd･sr
照度：lx（ルックス）=cd･sr/m^2
- 接頭語
G（ギガ）：10^9
M（メガ）：10^6
k（キロ）：10^3
m（ミリ）：10^-3
μ（マイクロ）：10^-6
n（ナノ）：10^-9
p（ピコ）：10^-12
M（メガ）：10^6
k（キロ）：10^3
m（ミリ）：10^-3
μ（マイクロ）：10^-6
n（ナノ）：10^-9
p（ピコ）：10^-12
電界に於けるクーロンの法則
F=Q1･Q2/4･π･ε0･εs･r^2
=9*10^9･Q1･Q2/εs･r^2 〔N〕
=9*10^9･Q1･Q2/εs･r^2 〔N〕
コンデンサの並列接続
個数nのコンデンサの端子電圧は電源電圧に等しい
各コンデンサの蓄積電荷
Q1=C1･V,Q2=C2･V,…,Qn=Cn･V〔C〕
総電荷
Q0=Q1+Q2+…+Qn
=(C1+C2+…+Cn)･V 〔C〕
合成静電容量
C0=Q0/V
=(C1+C2+…+Cn)･V/V
=C1+C2+…+Cn 〔F〕
各コンデンサの蓄積電荷
Q1=C1･V,Q2=C2･V,…,Qn=Cn･V〔C〕
総電荷
Q0=Q1+Q2+…+Qn
=(C1+C2+…+Cn)･V 〔C〕
合成静電容量
C0=Q0/V
=(C1+C2+…+Cn)･V/V
=C1+C2+…+Cn 〔F〕
コンデンサの直列接続
個数nのコンデンサの各蓄積電荷
Q1=Q2…=Qn
=Q 〔C〕
各コンデンサの端子電圧
V1=Q/C1,V2=Q/C2,…,Vn=Q/Cn 〔V〕
電源電圧
V=V1+V2+…+Vn
=(1/C1+1/C2+…1/Cn)･Q 〔V〕
合成静電容量
C0=Q/V
=1/(1/C1+1/C2+…+1/Cn) 〔F〕
Q1=Q2…=Qn
=Q 〔C〕
各コンデンサの端子電圧
V1=Q/C1,V2=Q/C2,…,Vn=Q/Cn 〔V〕
電源電圧
V=V1+V2+…+Vn
=(1/C1+1/C2+…1/Cn)･Q 〔V〕
合成静電容量
C0=Q/V
=1/(1/C1+1/C2+…+1/Cn) 〔F〕
コンデンサの静電エネルギーの大きさ
W=1/2･C･V^2
=Q^2/2･C
=Q･V/2 〔J〕
=Q^2/2･C
=Q･V/2 〔J〕
2枚の電極間の1m^3当たりに蓄えられるエネルギー
w=W/S･d
=1/2･C･V^2/S･d
=1/2･C･d/S･(V/d)^2
2枚の電極の間隔を d 〔m〕,電極の面積を S 〔m^2〕とする
=1/2･C･V^2/S･d
=1/2･C･d/S･(V/d)^2
2枚の電極の間隔を d 〔m〕,電極の面積を S 〔m^2〕とする
